一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法

申请专利号: CN200410021334.3

本发明属于材料科学与技术领域，涉及到晶体生长科学与技术，尤其是用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法。本发明的特征是用菱镁矿石为原料，以冷坩埚为炉体，先焙烧菱镁矿石，经选别制取三种轻烧氧化镁按比例混合，放入冷坩埚炉体中，采用三相交流电熔法加热，控制升温、恒温和降温曲线，即可获得象水晶一样晶莹剔透高雅大方的立方氧化镁晶体。本发明的效果和益处是其生长方法简单，易于掌握，工艺稳定，是新一代高科技产品。

 

申请日: 2004.03.02

公开公告号: CN1560331

公开公告日: 2005.01.05

主分类号: C30B29/16

分类号: C30B29/16;C30B11/02;C01F5/02

申请专利权人: 大连理工大学

地址: 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

国省代码: 辽宁;21

发明设计人: 王宁会;黄耀;戚栋;范卫东;吴彦

专利代理机构: 大连理工大学专利中心

代理人: 侯明远

 

【中国镁质材料网 采编：ZY】