单晶氧化镁及其制造方法

申请(专利)号: CN200680009667.1

本发明提供一种单晶MgO，其用于得到氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料，该蒸镀材料在通过电子束蒸镀法等蒸镀时，可防止发生飞溅而不降低蒸镀时的成膜速度;以及提供一种单晶MgO，其用于得到单晶MgO基板，该基板可形成例如超导特性优异的超导体薄膜。该单晶MgO的钙含量为150×10-6～1000×10-6kg/kg、硅含量为10×10-6kg/kg以下，并且通过TOF-SIMS对单晶MgO的研磨面进行分析时的钙碎片离子检测量的变化以CV值计为30%以下。还提供一种由该单晶MgO得到的单晶MgO蒸镀材料和薄膜形成用单晶MgO基板。

 

申请日: 2006.03.24

公开(公告)号: CN101146936A

 公开(公告)日: 2008.03.19

主分类号: C30B29/16(2006.01)

分类号: C30B29/16(2006.01);C01F5/02(2006.01);C23C14/08(2006.01)

优先权: 2005.03.25 JP 087967/2005

申请(专利权)人: 达泰豪化学工业株式会社

地址: 日本兵库县

国省代码: 日本;JP

发明(设计)人: 东?淳生;川口祥史;国重正明

国际申请: PCT/JP2006/305926 2006.03.24

国际公布: WO2006/104027 日 2006.10.05

进入国家日期: 2007.09.25

专利代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所

代理人: 刘新宇;李茂家