一种制备超细晶镁合金的方法

专利类型：发明公开

申请(专利)号：CN202011343147.2

申请日：2020-11-26

申请公布号：CN112620370A

公开公告日：2021-04-09

申请人：江苏科技大学

地址：212003 江苏省镇江市京口区梦溪路2号

发明人：王浩; 石凤健; 张诚; 谭昊天; 叶思珍

分类号：B21C23/00

主分类号：B21C23/00

代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

代理人：柏尚春

主权项：

1.一种制备超细晶镁合金的方法,其特征在于,包括以下步骤：S1、将圆柱状镁合金坯料进行固溶处理;S2、将固溶处理后的坯料加热,同时将S型通道挤压凹模加热到相同温度,将加热后的坯料置于S型挤压凹模通道中挤压一次或者多次;S3、将挤压后的坯料保温,同时将复合挤压凹模加热到相同温度,将坯料置于复合挤压凹模通道中一次挤压成型,得到超细晶镁合金材料;所述复合挤压凹模为正挤压通道与S型通道挤压相结合的挤压通道,通过锥角形成正挤压上通道与下通道的过渡,正挤压下通道与S型通道的上通道重合,坯料在复合挤压凹模内先进行正挤压再进行S型通道挤压。摘要：

本发明公开了一种制备超细晶镁合金的方法,包括以下步骤：将圆柱状镁合金坯料进行固溶处理;将坯料加热,将S型通道挤压凹模加热到相同温度,将加热后的坯料置于S型挤压凹模通道中挤压一次或者多次;将挤压后的坯料保温,将复合挤压凹模加热到相同温度,将坯料置于复合挤压凹模通道中一次挤压成型,得超细晶镁合金材料;所述复合挤压凹模为正挤压通道与S型通道挤压相结合的挤压通道,通过锥角形成正挤压上通道与下通道的过渡,正挤压下通道与S型通道的上通道重合,坯料在复合挤压凹模内先进行正挤压再进行S型通道挤压。本发明将S型通道挤压与复合挤压相结合,具有单道次变形量大的特点,通过单道次挤压即可大大细化材料组织,提高材料性能。